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參數(shù)資料
| 型號： | IDT72215LB10TF8 |
| 廠商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件頁數(shù)： | 4/16頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FIFO 512X18 SYNC 10NS 64QFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1,250 |
| 系列： | 7200 |
| 功能： | 同步 |
| 存儲容量： | 9.2K（512 x 18） |
| 數(shù)據(jù)速率： | 100MHz |
| 訪問時(shí)間： | 10ns |
| 電源電壓： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 64-LQFP |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 64-TQFP（10x10） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱： | 72215LB10TF8 |
12
IDT72205LB/72215LB/72225LB/72235LB/72245LB CMOS SyncFIFOTM
256 x 18, 512 x 18, 1,024 x 18, 2,048 x 18 and 4,096 x 18
COMMERCIALANDINDUSTRIAL
TEMPERATURERANGES
MARCH 2013
Figure 12. Programmable Almost-Empty Flag Timing
Figure 13. Programmable Almost-Full Flag Timing
WCLK
tCLKH
tCLKL
tENS
tENH
tENS
tPAE
n + 1 words in FIFO
n words in FIFO
RCLK
tPAE
2766 drw 14
WCLK
tCLKH
tCLKL
tENS
tENH
tENS
tPAF
D – m + 1 words
in FIFO memory
RCLK
tPAF
(1)
2766 drw 15
D – m words
in FIFO memory
(2)
(1)
D – m + 1 words in FIFO memory (1)
Figure 14. Half-Full Flag Timing
WCLK
tENS
tENH
tENS
tHF
RCLK
tHF
D/2 words in
FIFO memory(1)
2766 drw 16
D/2 + 1 words in
FIFO memory(2)
D/2 words in FIFO memory
(1)
tCLKL
tCLKH
NOTES:
1. D = maximum FIFO Depth = 256 words for the IDT72205LB, 512 words for the IDT72215LB, 1,024 words for the IDT72225LB, 2,048 words for the IDT72235LB and 4,096 words
for the IDT72245LB.
NOTE:
1. n = PAE offset. Number of data words written into FIFO already = n.
NOTES:
1. m = PAF offset. D = maximum FIFO Depth. Number of data words written into FIFO memory = 256 - m + 1 for the IDT72205LB, 512 - m + 1 for the IDT72215LB,
1,024 - m + 1 for the IDT72225LB, 2,048 - (m + 1) for the IDT72235LB and 4,096 - (m + 1) for the IDT72245LB.
2. 256 - m words for the IDT72205LB, 512 - m words for the IDT72215LB, 1,024 - m words for the IDT72225LB, 2,048 - m words for the IDT72235LB and 4,096 - m words for
the IDT72245LB.
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