參數(shù)資料
型號: IDT72235LB35PF
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18
中文描述: 2K X 18 OTHER FIFO, PQFP64
封裝: 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
文件頁數(shù): 2/16頁
文件大?。?/td> 181K
代理商: IDT72235LB35PF
10
IDT72205LB/72215LB/72225LB/72235LB/72245LB CMOS SyncFIFO
256 x 18, 512 x 18, 1,024 x 18, 2,048 x 18 and 4,096 x 18
Commercial And Industrial Temperature Ranges
Figure 7. First Data Word Latency after Reset with Simultaneous Read and Write
Figure 8. Full Flag Timing
WCLK
D0 - D17
RCLK
Q0 - Q17
t DS
tSKEW2
t ENS
t REF
tA
0
12
3
D
DDD
01
DD
(first valid write)
t OE
t OLZ
tA
tFRL(1)
D4
tENS
2766 drw 09
NOTE:
1. tSKEW1 is the minimum time between a rising RCLK edge and a rising WCLK edge to guarantee that
FF will go HIGH during the current clock cycle. If the
time between the rising edge of RCLK and the rising edge of WCLK is less than tSKEW1, then
FF may not change state until the next WCLK edge.
DATA READ
WCLK
D0 - D17
RCLK
Q0 - Q17
t A
t WFF
DATA WRITE
t WFF
t ENH
t ENS
t DS
t WFF
t DS
DATA
WRITE
NEXT DATA READ
t A
NO WRITE
DATA IN OUTPUT REGISTER
LOW
tSKEW1
(1)
t SKEW1
(1)
t ENH
t ENS
2766 drw 10
NOTES:
1. When tSKEW2 minimum specification, tFRL (maximum) = tCLK + tSKEW2. When tSKEW2 < minimum specification, tFRL (maximum) = either
2*tCLK + tSKEW2 or tCLK + tSKEW2. The Latency Timing applies only at the Empty Boundary (
EF = LOW).
2. The first word is available the cycle after
EF goes HIGH, always.
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PDF描述
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IDT72235LB35TF High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor
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IDT72235LB50G CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18
IDT72235LB50GB CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18
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參數(shù)描述
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