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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT72V215L10TFG8 |
| 廠商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件頁數(shù)： | 4/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FIFO SYNC 512X18 10NS 64STQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1,250 |
| 系列： | 72V |
| 功能： | 同步 |
| 存儲(chǔ)容量： | 9.2K（512 x 18） |
| 數(shù)據(jù)速率： | 100MHz |
| 訪問時(shí)間： | 10ns |
| 電源電壓： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 64-LQFP |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 64-TQFP（10x10） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱： | 72V215L10TFG8 |
12
IDT72V205/72V215/72V225/72V235/72V245 3.3V CMOS SyncFIFOTM
256 x 18, 512 x 18, 1,024 x 18, 2,048 x 18 and 4,096 x 18
COMMERCIALANDINDUSTRIAL
TEMPERATURERANGES
MARCH 2013
Figure 8. First Data Word Latency with Single Register-Buffered EF
EF
EF (IDT Standard Mode)
NOTES:
1. When tSKEW1 minimum specification, tFRL (maximum) = tCLK + tSKEW1. When tSKEW1 < minimum specification, tFRL (maximum) = either 2*tCLK + tSKEW1 or tCLK + tSKEW1. The
Latency Timing applies only at the Empty Boundary (EF = LOW).
2. The first word is available the cycle after EF goes HIGH, always.
3. Select this mode by setting (FL, RXI, WXI) = (0,0,0), (0,1,1), (1,0,0) or (1,1,1) during Reset.
Figure 7. Read Cycle Timing with Single Register-Buffered EF
EF
EF (IDT Standard Mode)
NOTES:
1. tSKEW1 is the minimum time between a rising WCLK edge and a rising RCLK edge to guarantee that EF will go HIGH during the current clock cycle. If the time between the rising
edge of WCLK and the rising edge of RCLK is less than tSKEW1, then EF may not change state until the next RCLK edge.
2. Select this mode by setting (FL, RXI, WXI) = (0,0,0), (0,1,1), (1,0,0) or (1,1,1) during Reset.
WCLK
D0 - D17
WEN
RCLK
EF
Q0 - Q17
REN
tDS
tSKEW1
tENS
tREF
tA
D0
D1
D2
D3
D0
D1
(first valid write)
tOE
tOLZ
OE
tA
tFRL
(1)
D4
tENS
4294 drw 08
NO OPERATION
RCLK
REN
EF
tCLK
tCLKH
tCLKL
tENS
tENH
tREF
VALID DATA
tA
tOLZ
tOE
tOHZ
Q0 - Q17
OE
WCLK
WEN
tSKEW1
(1)
4294 drw 07
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IDT72V215L10TF8 | IC FIFO SYNC 512X18 10NS 64STQFP |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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