參數(shù)資料
型號(hào)： IDTIDT71P79204200BQ
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
中文描述： 35.7流水線⑩二二氧化硅的DDR SRAM的爆裂2
文件頁(yè)數(shù)： 20/23頁(yè)
文件大?。?/td> 641K
代理商： IDTIDT71P79204200BQ
6.42
20
IDT71P79204 (2Mx8-Bit), 71P79104 (2Mx9-Bit), 71P79804 (1Mx18-Bit) 71P79604 (512Kx36-Bit)
18 Mb DDR II SIO SRAM Burst of 2 Commercial and Industrial Temperature Ranges
Parameter
Symbol
Mn
Max
Unit
Note
TCK Cycle Time
t
CHCH
50
-
ns
TCK High Pulse Width
t
CHCL
20
-
ns
TCK Low Pulse Width
t
CLCH
20
-
ns
TMS Input Setup Time
t
MVCH
5
-
ns
TMS Input Hold Time
t
CHMX
5
-
ns
TDI Input Setup Time
t
DVCH
5
-
ns
TDI Input Hold Time
t
CHDX
5
-
ns
SRAMInput Setup Time
t
SVCH
5
-
ns
SRAMInput Hold Time
t
CHSX
5
-
ns
Clock Lowto Output Valid
t
CLQV
0
10
ns
6432 tbl 21
JTAG AC Characteristics
JTAG Timing Diagram
TCK
TMS
TDI/
SRAM
INPUTS
TDO
t
MVCH
t
DVCH
t
SVCH
t
CHCL
t
CHMX
t
CHDX
t
CHSX
t
CLCH
6432drw 19
t
CLQV
SRAM
OUTPUTS
t
CHCH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDTIDT71P79204200BQI 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79204250BQI 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79204267BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79204267BQI 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79604167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDTIDT71P79204200BQI 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79204250BQ 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79204250BQI 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79204267BQ 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79204267BQI 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
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