參數(shù)資料
型號(hào)： IDTIDT71P79804200BQI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
中文描述： 35.7流水線⑩二二氧化硅的DDR SRAM的爆裂2
文件頁(yè)數(shù)： 18/23頁(yè)
文件大小： 641K
代理商： IDTIDT71P79804200BQI
6.42
18
IDT71P79204 (2Mx8-Bit), 71P79104 (2Mx9-Bit), 71P79804 (1Mx18-Bit) 71P79604 (512Kx36-Bit)
18 Mb DDR II SIO SRAM Burst of 2 Commercial and Industrial Temperature Ranges
Boundary Scan Exit Order
ORDER
PIN ID
1
6R
2
6P
3
6N
4
7P
5
7N
6
7R
7
8R
8
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9
9R
10
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11
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10M
15
11N
16
9M
17
9N
18
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20
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10K
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9J
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9K
26
10J
27
11J
28
11H
29
10G
30
9G
31
11F
32
11G
33
9F
34
10F
35
11E
36
10E
6432 tbl 16
ORDER
PIN ID
37
10D
38
9E
39
10C
40
11D
41
9C
42
9D
43
11B
44
11C
45
9B
46
10B
47
11A
48
Internal
49
9A
50
8B
51
7C
52
6C
53
8A
54
7A
55
7B
56
6B
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6A
58
5B
59
5A
60
4A
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5C
62
4B
63
3A
64
1H
65
1A
66
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1B
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1D
6432 tbl 17
ORDER
PIN ID
73
2C
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1M
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1L
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1N
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2N
100
2P
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1P
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4R
104
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5R
6432 tbl 18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDTIDT71P79804250BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79804250BQI 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79804267BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79804267BQI 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTQ3V245 QUICKSWITCH PRODUCTS 3.3V HIGH SPEED BUS SWITCH
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDTIDT71P79804250BQ 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79804250BQI 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79804267BQ 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79804267BQI 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIPGG5V9882T 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:3.3V EEPROM PROGRAMMABLE CLOCK GENERATOR
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