型號: | IFS1212 |
英文描述: | Analog IC |
中文描述: | 模擬IC |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大小: | 284K |
代理商: | IFS1212 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IFS2405 | Analog IC |
IFS2412 | Analog IC |
IL201-009 | Optoelectronic |
IL202-004 | Optoelectronic |
IL202-009 | Optoelectronic |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IFS150B12N3E4_B31 | 功能描述:IGBT 模塊 MIPAQ BASE 1200V 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
IFS150B12N3T4_B31 | 功能描述:IGBT 模塊 MIPAQ BASE 1200V 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
IFS150V12PT4 | 功能描述:IGBT 模塊 MIPAQ SERVE 1200V 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
IFS200V12PT4 | 功能描述:IGBT 模塊 MIPAQ SERVE 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
IFS205 | 制造商:IFM ELECTRONICS 功能描述:IND. SENSOR,IFS205 |