參數(shù)資料
型號： IGP01N120H2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HighSpeed 2-Technology
中文描述： 高速2 -技術(shù)
文件頁數(shù)： 4/13頁
文件大?。?/td> 390K
代理商： IGP01N120H2
IGP01N120H2,
IGD01N120H2
IGB01N120H2
Power Semiconductors
4
Rev. 2, Mar-04
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
1A
2A
3A
4A
5A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
,01A
0,1A
1A
10A
200
μ
s
DC
50
μ
s
5
μ
s
2
μ
s
20
μ
s
t
p
=1
μ
s
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
R
G
= 241
)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
150°C
0W
5W
10W
15W
20W
25W
30W
I
C
,
C
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
150°C
0A
1A
2A
3A
4A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function
of case temperature
(
T
j
≤
150
°
C)
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≤
15V,
T
j
≤
150
°
C)
I
c
I
c
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