參數(shù)資料
型號： IGW50N60T
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
中文描述： 低損耗IGBT的在戰(zhàn)壕和場終止技術(shù)
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大小： 402K
代理商： IGW50N60T
IGP50N60T, IGB50N60T
TrenchStop Series
IGW50N60T
Power Semiconductors
5
Rev. 2.2 Dec-04
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
0A
20A
40A
60A
80A
100A
120A
15V
7V
9V
11V
13V
V
GE
=20V
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
0A
20A
40A
60A
80A
100A
120A
15V
13V
7V
9V
11V
V
GE
=20V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristic
(
T
j
= 25°C)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristic
(
T
j
= 175°C)
I
C
,
C
0V
2V
4V
6V
8V
0A
20A
40A
60A
80A
25°C
T
J
=175°C
V
C
C
-
E
0°C
50°C
100°C
150°C
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
I
C
=50A
I
C
=100A
I
C
=25A
V
GE
,
GATE-EMITTER
VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristic
(V
CE
=20V)
T
J
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of
junction temperature
(
V
GE
= 15V)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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