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參數(shù)資料
| 型號： | ILD66-1 |
| 英文描述： | DARLINGTON-NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER |
| 中文描述： | 達(dá)林頓- npn型輸出DC -輸入光耦合器 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 398K |
| 代理商： | ILD66-1 |
www.in
fi
neon.com/opto
1-888-In
fi
neon (1-888-463-4636)
2001 In
fi
neon Technologies Corp.
Optoelectronics Division
San Jose, CA
IL/ILD/ILQ66
2
–
96
March 1, 2000-00
Electrical Characteristics,
Parameter
T
A
=25
°
C
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
GaAs Emitter
Forward Voltage
V
F
—
1.25
1.5
V
I
F
=20 mA
Reverse Current
I
R
—
0.1
10
μ
A
V
R
=6.0 V
Capacitance
C
0
—
25
—
pF
V
R
=0 V
Photodarlington
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
BV
CEO
60
—
—
V
I
C
=1.0 mA,
I
F
=0
Collector-Base (IL66)
BV
CBO
60
—
—
—
I
C
=10
μ
A
Leakage Current, Collector-Emitter
I
CEO
—
1.0
100
nA
V
CE
=50 V,
I
F
=0
Capacitance, Collector-Emitter
—
—
3.4
—
pF
V
CE
=10 V
Coupled Characteristics
Current Transfer Ratio
IL/ILD/ILQ66-1
CTR
100
400
—
%
I
F
=2.0 mA,
V
CE
=10 V
IL/ILD/ILQ66-2
300
500
—
I
F
=2.0 mA,
V
CE
=10 V
IL/ILD/ILQ66-3
400
500
—
I
F
=0.7 mA,
V
CE
=10 V
IL/ILD/ILQ66-4
500
750
—
I
F
=2.0 mA,
V
CE
=5.0 V
Saturation Voltage, Collector-Emitter
V
CE
sat
—
0.9
1.0
V
I
C
=10 mA,
I
F
=10 mA
Rise Time -1, -2, -4
t
r
—
—
200
μ
s
V
CC
=10 V
Fall Time -1, -2, -4
t
f
—
—
200
I
F
=2.0 mA,
R
L
=100
Rise Time -3
t
r
—
—
200
I
F
=0.7 mA
Fall Time -3
t
f
—
—
200
V
CC
=10 V,
R
L
=100
Figure 1. Forward voltage versus forward current
Figure 2. Normalized non-saturated and saturated
CTR
ce
versus LED current
100
10
1
.1
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
I
F
- Forward Current - mA
V
F
T
A
=25
°
C
T
A
=100
°
C
T
A
=-55
°
C
100
10
1
.1
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V
CE
= 1 V
V
CE
= 5 V
I
F
- LED Current - mA
N
Normalized to:
T
A
= 25
°
C
V
CE
= 5 V
I
F
= 2 mA
Figure 3. Normalized non-saturated and saturated
CTR
ce
versus LED current
Figure 4. Non-saturated and saturated collector
emitter current versus LED current
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
.1
1
10
100
1000
Vce = 5 V
Vce = 1 V
IF - LED Current - mA
N
Ta = 25°C
Vce = 5 V
IF = 10 ma
Normalized to:
.1
1
10
100
10000
1000
100
10
1
.1
.01
.001
V
CE
= 5 V
V
CE
= 1 V
I
F
- LED Current - mA
I
C
c
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ILD66-2 | DARLINGTON-NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER |
| ILD66-3 | DARLINGTON-NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER |
| ILD66-4 | DARLINGTON-NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER |
| ILQ66-1 | DARLINGTON-NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER |
| ILQ66-2 | DARLINGTON-NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ILD66-2 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Photodarlington Out Dual CTR >300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| ILD66-2X007 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| ILD66-2X007T | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| ILD66-3 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Photodarlington Out Dual CTR >400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| ILD66-3X009 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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