參數(shù)資料
型號： ILQ1615-3X009T
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 光電耦合器
英文描述： 4 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝： ROHS COMPLIANT, DIP-16
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： ILQ1615-3X009T
ILD1615/ ILQ1615
Document Number 82582
Rev. 1.5, 23-Mar-06
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering
evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.
Input
Output
Coupler
Current Transfer Ratio
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Forward voltage
IF = 10 mA
VF
1.0
1.15
1.3
V
Breakdown voltage
IR = 10 A
VBR
6.0
30
V
Reverse current
VR = 6.0 V
IR
0.01
10
A
Capacitance
VR = 0 V, f = 1.0 MHz
CO
25
pF
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Collector-emitter capacitance
VCE = 5.0 V, f = 1.0 MHz
CCE
6.8
pF
Collector-emitter leakage
current, -1, -2
VCE = 10 V
ICEO
2.0
50
nA
Collector-emitter leakage, -3, -4 VCE = 10 V
ICEO
5.0
100
nA
Collector-emitter breakdown
voltage
ICE = 0.5 mA
BVCEO
70
V
Emitter-collector breakdown
voltage
IE = 0.1 mA
BVECO
7.0
V
Package transfer characteristics
Channel/Channel CTR match
IF = 10 mA, VCE = 5.0 V
CTRX/
CTRY
1 to 1
2 to 1
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Capacitance (input-output)
VIO = 0 V, f = 1.0 MHz
CIO
0.8
pF
Insulation resistance
VIO = 500 V, TA = 25 °C
RS
1012
1014
Ω
Channel to channel isolation
500
VAC
Parameter
Test condition
Part
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Current Transfer Ratio
(collector-emitter saturated)
IF = 10 mA, VCE = 0.4 V
ILD1615-1
ILQ1615-1
CTRCEsat
25
%
ILD1615-2
ILQ1615-2
CTRCEsat
40
%
ILD1615-3
ILQ1615-3
CTRCEsat
60
%
ILD1615-4
ILQ1615-4
CTRCEsat
100
%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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ILD3-1 2 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
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參數(shù)描述
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ILQ1615-4X009T 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Quad CTR > 160-320% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
ILQ1-X006 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Quad CTR > 20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
ILQ1-X007 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Quad CTR > 20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
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