參數(shù)資料
型號(hào)： ILQ1
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 光電耦合器
英文描述： Optocoupler DC-IN 4-CH Transistor DC-OUT 16-Pin PDIP
中文描述： Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Quad CTR >20%
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大?。?/td> 195K
代理商： ILQ1
ILD1, ILD2, ILD5, ILQ1, ILQ2, ILQ5
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
Rev. 1.8, 28-Jun-11
3
Document Number: 83646
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www.vishay.com/doc91000
Note
Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering
evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
INPUT
Forward voltage
I
F
= 60 mA
V
F
1.25
1.65
V
Reverse current
V
R
= 6 V
I
R
0.01
10
μA
Capacitance
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
C
O
25
pF
Thermal resistance, junction to lead
T
thJL
750
K/W
OUTPUT
Collector emitter capacitance
V
CE
= 5 V, f = 1 MHz
C
CE
6.8
pF
Collector emitter leakage current
V
VCE
= 10 V
I
CEO
5
50
nA
Saturation voltage, collector emitter
I
C
= 1 mA, I
B
= 20 μA
V
CESAT
0.25
0.4
V
DC forward current gain
V
CE
= 10 V, I
B
= 20 μA
h
FE
200
650
1800
DC forward current gain saturated
V
CE
= 0.4 V, I
B
= 20 μA
h
FEsat
120
400
600
Thermal resistance, junction to lead
R
thjl
500
K/W
COUPLER
Capacitance (input to output)
V
IO
= 0 V, f = 1 MHz
C
IO
0.8
pF
CURRENT TRANSFER RATIO
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
/I
(collector emitter
saturated)
I
F
=10 mA, V
CE
= 0.4 V
ILD1
CTR
CEsat
75
%
ILQ1
CTR
CEsat
75
%
ILD2
CTR
CEsat
170
%
ILQ2
CTR
CEsat
170
%
ILD5
CTR
CEsat
100
%
ILQ5
CTR
CEsat
100
%
I
F
=10 mA, V
CE
= 10 V
ILD1
CTR
CE
20
80
300
%
ILQ1
CTR
CE
20
80
300
%
ILD2
CTR
CE
100
200
500
%
ILQ2
CTR
CE
100
200
500
%
ILD5
CTR
CE
50
130
400
%
ILQ5
CTR
CE
50
130
400
%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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