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參數(shù)資料
| 型號： | IMB11 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 50mA的一（c）|蘇 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IMB11 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IMB14 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
| IMB9 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SO |
| IMD1 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
| IMD9 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SO |
| IMH10 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IMB11A | 制造商:ROHM 功能描述:DIVIDER TYPE PNPx2 SM DIGITAL TRANSISTOR SMT5 / 6 - free partial T/R at 500. |
| IMB11AT110 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP 50V 50MA SOT-457 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| IMB14 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
| IMB14A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
| IMB15315AL | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:ISTATION MOD, 3.5,15P,UNLD,1.5U,10PK,AL |
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