參數(shù)資料
型號： IPB05N03LB
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 291K
代理商： IPB05N03LB
IPB05N03LB
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
3 V
3.2 V
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
5
10
15
20
25
0
20
40
60
80
100
120
140
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
1
2
3
4
5
V
GS
[V]
I
D
0
20
40
60
80
100
120
0
20
40
60
80
I
D
[A]
g
f
2.8 V
3 V
3.2 V
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1
2
3
V
DS
[V]
I
D
Rev. 0.94
page 5
2006-05-10
相關PDF資料
PDF描述
IPB065N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB06CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI06CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB06CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI06CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IPB05N03LB G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB05N03LBGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB05N03LBNT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB063N06LGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:GREEN, N-KANAL POWER MOS
IPB065N03L G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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