參數(shù)資料
型號： IPB08CN10NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大小： 526K
代理商： IPB08CN10NG
IPB08CN10N G
IPI08CN10N G IPP08CN10N G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=95 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
5
10
15
20
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
130 μA
1300 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
4
10
3
10
2
10
1
0
20
40
60
80
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C, 98%
175 °C, 98%
10
3
10
2
10
1
10
0
0
0.5
1
1.5
2
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.02
page 6
2006-06-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPI08CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB08CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI08CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB09N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB08CN10NG_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPB08CN10NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 95A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB08CNE8N G 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 95A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB08CNE8NG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB08CNE8NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 95A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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