參數(shù)資料
型號： IPB50CN10NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大?。?/td> 708K
代理商： IPB50CN10NG
IPB50CN10N G IPD49CN10N G
IPI50CN10N G IPP50CN10N G IPU49CN10N G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
822
1090
pF
Output capacitance
C
oss
-
120
160
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
10
15
Turn-on delay time
t
d(on)
-
10
15
ns
Rise time
t
r
-
4
6
Turn-off delay time
t
d(off)
-
14
20
Fall time
t
f
-
3
4
Gate Charge Characteristics
5)
Gate to source charge
Q
gs
-
5
6
nC
Gate to drain charge
Q
gd
-
3
4
Switching charge
Q
sw
-
5
7
Gate charge total
Q
g
-
12
16
Gate plateau voltage
V
plateau
-
5.7
-
V
Output charge
Q
oss
V
DD
=50 V,
V
GS
=0 V
-
12
17
nC
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
20
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
80
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=20 A,
T
j
=25 °C
-
1
1.2
V
Reverse recovery time
t
rr
-
100
ns
Reverse recovery charge
Q
rr
-
140
-
nC
5)
See figure 16 for gate charge parameter definition
V
R
=50 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=100 A/μs
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=50 V,
f
=1 MHz
V
DD
=50 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=20 A,
R
G
=1.6
V
DD
=50 V,
I
D
=20 A,
V
GS
=0 to 10 V
Rev. 1.01
page 3
2006-06-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPD49CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI50CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB80N04S2L-03 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB80N06S3L-06 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB80N06S3L-08 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB50CN10NGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
IPB50N10S3L-16 功能描述:MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB50N10S3L16ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
IPB50R140CP 功能描述:MOSFET COOL MOS N-CH 550V 23A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB50R140CPATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
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