參數(shù)資料
型號(hào)： IPB80N06S3L-06
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢-T Power-Transistor
中文描述： ㈢的OptiMOS - T的功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 163K
代理商： IPB80N06S3L-06
IPB80N06S3L-06
IPI80N06S3L-06, IPP80N06S3L-06
9 Typ. gate threshold voltage
10 Typ. capacitances
V
GS(th)
= f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
C
= f(
V
DS
);
V
GS
= 0 V;
f
= 1 MHz
parameter:
I
D
11 Typical forward diode characteristicis
12 Typ. avalanche characteristics
IF = f(V
SD
)
I
AV
= f(
t
AV
)
parameter:
T
j
parameter: T
j(start)
25°C
100°C
150°C
1
10
100
1
10
100
1000
t
AV
[μs]
I
A
25 °C
175 °C
10
3
10
2
10
1
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
[V]
I
F
Ciss
Coss
Crss
10
5
10
4
10
3
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
80μA
800μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Rev. 1.0
page 6
2005-09-16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB80N06S3L-08 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB80N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB80N08S2L-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB80P03P3L-04 OptiMOS-P Power-Transistor
IPD03N03LB OptiMOS 2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB80N06S3L-06_07 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB80N06S3L06ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
IPB80N06S3L06XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB80N06S3L-08 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB80N06S3L-08_07 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor
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