參數(shù)資料
型號： IPD09N03LBG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大小： 421K
代理商： IPD09N03LBG
IPD09N03lB G IPS09N03LB G
Package Outline
PG-TO251-3-11
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PG-TO251-3-21: Outline
Rev. 1.5
page 10
2006-05-15
相關PDF資料
PDF描述
IPD10N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF10N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD127N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPD12N03LBG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF12N03LBG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IPD09N03LBGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD100N04S4-02 功能描述:MOSFET N-Channel 40V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPD100N04S402ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
IPD100N06S4-03 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPD100N06S403ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
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