參數(shù)資料
型號： IPD16CNE8NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 568K
代理商： IPD16CNE8NG
IPB16CNE8N G IPD16CNE8N G
IPI16CNE8N G IPP16CNE8N G
Opti
MOS
2 Power-Transistor
Features
N-channel, normal level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Very low on-resistance
R
DS(on)
175 °C operating temperature
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC
1)
for target application
Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
53
38
A
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
212
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=53 A,
R
GS
=25
107
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=53 A,
V
DS
=68 V,
d
i
/d
t
=100 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
3)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
100
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
3)
T
jmax
=150°C and duty cycle D=0.01 for Vgs<-5V
Value
1)
J-STD20 and JESD22
2)
see figure 3
V
DS
85
V
R
DS(on),max
(TO252)
16
m
I
D
53
A
Product Summary
Type
IPB16CNE8N G
IPD16CNE8N G
IPI16CNE8N G
IPP16CNE8N G
Package
PG-TO263-3
PG-TO252-3
PG-TO262-3
PG-TO220-3
Marking
16CNE8N
16CNE8N
16CNE8N
16CNE8N
Rev. 1.01
page 1
2006-02-16
相關PDF資料
PDF描述
IPI16CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB25N06S3-25 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI25N06S3-25 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB25N06S3L-22 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI25N06S3L-22 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IPD16CNE8NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 53A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD170N04N G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPD170N04NG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IPD170N04NGBTMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
IPD180N10N3 G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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