參數(shù)資料
型號： IPD350N06LG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 392K
代理商： IPD350N06LG
IPD350N06L G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
600
800
pF
Output capacitance
C
oss
-
150
200
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
40
60
Turn-on delay time
t
d(on)
-
6
9
ns
Rise time
t
r
-
21
32
Turn-off delay time
t
d(off)
-
29
44
Fall time
t
f
-
20
30
Gate Charge Characteristics
3)
Gate to source charge
Q
gs
-
2
3
nC
Gate charge at threshold
Q
g(th)
-
1
1.3
Gate to drain charge
Q
gd
-
6
9
Switching charge
Q
sw
-
8
11
Gate charge total
Q
g
-
10
13
Gate plateau voltage
V
plateau
-
4.2
-
V
Output charge
Q
oss
V
DD
=30 V,
V
GS
=0 V
-
6
7
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
29
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
116
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=29 A,
T
j
=25 °C
-
0.98
1.3
V
Reverse recovery time
t
rr
-
40
50
ns
Reverse recovery charge
Q
rr
-
36
45
nC
3)
See figure 16 for gate charge parameter definition
V
R
=30 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=100 A/μs
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=30 V,
f
=1 MHz
V
DD
=30 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=29 A,
R
G
=11
V
DD
=
30
V,
I
V
GS
=0 to 5 V
D
=
29
A,
Rev. 1.1
page 3
2006-05-08
相關PDF資料
PDF描述
IPD400N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPD60R385CP CoolMOS Power Transistor
IPD640N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPD64CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD800N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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