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參數(shù)資料
| 型號： | IPD400N06NG |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 361K |
| 代理商： | IPD400N06NG |
IPD400N06N G
PG-TO252-3: Outline
packaging:
Rev. 1.1
page 8
2006-04-20
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD60R385CP | CoolMOS Power Transistor |
| IPD640N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPD64CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD800N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPDH5N03LA | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPD400N06NG_08 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS? Power-Transistor Features N-channel enhancement - normal level Avalanche rated |
| IPD400N06NGBTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 27A TO-252 |
| IPD40N03S4L-08 | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPD40N03S4L-08_10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor |
| IPD40N03S4L08ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel |
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