參數(shù)資料
型號(hào)： IPD640N06LG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 361K
代理商： IPD640N06LG
IPD640N06L G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=18 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
16 μA
160 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C 98%
175 °C 98%
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
1
2
3
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.2
page 6
2006-03-27
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPD64CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD800N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPDH5N03LA OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH5N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH6N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IPD64CN10NG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD64CN10NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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