參數(shù)資料
型號： IPD64CN10NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 397K
代理商： IPD64CN10NG
IPD64CN10N G
IPU64CN10N G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
3.4
K/W
minimal footprint
-
-
75
6 cm2 cooling area
4)
-
-
50
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=1 mA
100
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=20 μA
2
3
4
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
-
0.1
1
μA
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
-
10
100
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
-
1
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=10 V,
I
D
=17 A
-
45
64
m
Gate resistance
R
G
-
1.6
-
Transconductance
g
fs
|
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
,
I
D
=17 A
8
15
-
S
Values
4)
Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm
2
(one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
Thermal resistance, junction -
ambient (TO252)
Rev. 1.01
page 2
2006-02-21
相關PDF資料
PDF描述
IPD800N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPDH5N03LA OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH5N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH6N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPFH6N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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