參數(shù)資料
型號： IPD800N06NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 383K
代理商： IPD800N06NG
IPD800N06N G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
280
370
pF
Output capacitance
C
oss
-
75
100
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
22
33
Turn-on delay time
t
d(on)
-
7
11
ns
Rise time
t
r
-
38
57
Turn-off delay time
t
d(off)
-
22
33
Fall time
t
f
-
27
40
Gate Charge Characteristics
3)
Gate to source charge
Q
gs
-
1.7
2.2
nC
Gate charge at threshold
Q
g(th)
-
0.8
1.1
Gate to drain charge
Q
gd
-
3.3
4.9
Switching charge
Q
sw
-
4.1
6.0
Gate charge total
Q
g
-
7
10
Gate plateau voltage
V
plateau
-
6.0
-
V
Output charge
Q
oss
V
DD
=30 V,
V
GS
=10 V
-
4
5
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
16
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
64
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=16 A,
T
j
=25 °C
-
0.97
1.3
V
Reverse recovery time
t
rr
-
25
31
ns
Reverse recovery charge
Q
rr
-
35
44
nC
3)
See figure 16 for gate charge parameter definition
V
R
=30 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=100 A/μs
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=30 V,
f
=1 MHz
V
DD
=30 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=16 A,
R
G
=39
V
DD
=30 V,
I
D
=16 A,
V
GS
=0 to 10 V
Rev.1.1
page 3
2006-04-07
相關PDF資料
PDF描述
IPDH5N03LA OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH5N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH6N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPFH6N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH9N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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