參數(shù)資料
型號： IPF12N03LBG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 427K
代理商： IPF12N03LBG
IPD12N03LB G IPS12N03LB G
IPU12N03LB G IPF12N03LB G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=30 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
20 μA
200 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C, 98%
175 °C, 98%
1
10
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.5
page 6
2006-05-15
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPD12N03L OptiMOS Buck converter series
IPU12N03L DDM43W2S
IPD144N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPD14N03L MULTI DVI RECEIVER - FIBER
IPD20N03L OptiMOS Buck converter series
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參數(shù)描述
IPF135N03L G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 13.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPF135N03LG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor
IPF13N03LA 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF13N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPF13N03LAG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000017610_Power MOSFET
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