參數(shù)資料
型號(hào)： IPI04N03LA
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS 2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS 2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 348K
代理商： IPI04N03LA
IPB04N03LA
IPI04N03LA, IPP04N03LA
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=55 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. Capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
60 μA
600 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25°C 98%
175°C 98%
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.3
page 6
2003-12-18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPP04N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPI05N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPP05N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPI11N03LA OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI60R199CP CoolMOS Power Transistor
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參數(shù)描述
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