參數(shù)資料
型號(hào)： IPI100N08S2-07
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 168K
代理商： IPI100N08S2-07
IPB100N08S2-07
IPP100N08S2-07, IPI100N08S2-07
9 Typ. Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(ON)
= f(
T
j
)
V
GS(th)
= f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
= 80 A; V
GS
= 10 V
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Typical forward diode characteristicis
C
= f(
V
DS
);
V
GS
= 0 V;
f
= 1 MHz
IF = f(V
SD
)
parameter:
T
j
25 °C
175 °C
10
3
10
2
10
1
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
[V]
I
F
Ciss
Coss
Crss
10
4
10
3
10
2
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
250μA
1250μA
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
2
4
6
8
10
12
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
]
Rev. 1.0
page 6
2006-03-03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB100N08S2L-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB12CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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參數(shù)描述
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