參數(shù)資料
型號(hào): IPI50CN10NG
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù): 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 708K
代理商: IPI50CN10NG
IPB50CN10N G IPD49CN10N G
IPI50CN10N G IPP50CN10N G IPU49CN10N G
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
=f(
T
C
)
I
D
=f(
T
C
);
V
GS
10 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
Z
thJC
=f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.1
1
10
t
p
[s]
Z
t
[
0
10
20
30
40
50
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
5
10
15
20
25
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
DC
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.01
page 4
2006-06-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB80N04S2L-03 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB80N06S3L-06 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB80N06S3L-08 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB80N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
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參數(shù)描述
IPI50CN10NGHKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
IPI50N10S3L-16 功能描述:MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI50N10S3L16AKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
IPI50R140CP 功能描述:MOSFET CoolMOS PWR Trnsistr 23/15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI50R140CPXKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Rail/Tube