參數(shù)資料
型號(hào)： IPP09N03LA
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS 2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS 2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 347K
代理商： IPP09N03LA
IPB09N03LA
IPI09N03LA, IPP09N03LA
Opti
MOS
2 Power-Transistor
Features
Ideal for high-frequency dc/dc converters
N-channel
Logic level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Very low on-resistance
R
DS(on)
Superior thermal resistance
175 °C operating temperature
d
v
/d
t
rated
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
1)
50
A
T
C
=100 °C
46
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
2)
350
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=45 A,
R
GS
=25
75
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=50 A,
V
DS
=20 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
3)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
63
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
25
V
R
DS(on),max
(SMD version)
8.9
m
I
D
50
A
Product Summary
Type
Package
Ordering Code
Marking
IPB09N03LA
P-TO263-3-2
Q67042-S4151
09N03LA
IPI09N03LA
P-TO262-3-1
Q67042-S4152
09N03LA
IPP09N03LA
P-TO220-3-1
Q67042-S4153
09N03LA
P-TO220-3-1
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
Rev. 1.3
page 1
2003-12-18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IPB100N04S2L-03 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N06S3-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI100N06S3-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB100N06S3L-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
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參數(shù)描述
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