參數(shù)資料
型號(hào): IPS0551T
廠商: International Rectifier
英文描述: FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
中文描述: 充分保護(hù)功率MOSFET開關(guān)
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 106K
代理商: IPS0551T
IPS0551T
6
www.irf.com
All curves are typical values with standard footprint. Operating in the shaded area is not recommended.
Figure 6 - Normalised Rds(on) (%) Vs Tj (
o
C)
Figure 5 - Rds(on) (m
) Vs Input Voltage (V)
Figure 8 - Turn-OFF Delay Time & Fall Time (us)
Vs Input Voltage (V)
Figure 7 - Turn-ON Delay Time, Rise Time & Time
to 130% final Rds(on) (us) Vs Input Voltage (V)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Tj = 150
o
C
Tj = 25
o
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
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3
4
5
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toff delay
fall time
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15
20
25
30
35
40
0
1
2
3
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6
7
8
ton delay
130% rdson
rise time
0%
20%
40%
60%
80%
100%
120%
140%
160%
180%
200%
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
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PDF描述
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參數(shù)描述
IPS0551T(SMD220) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 37V V(BR)DSS | TO-273VAR
IPS0551T(TO220) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 37V V(BR)DSS | TO-273AA
IPS05N03LA 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor
IPS05N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPS05N03LAG 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube