參數(shù)資料
型號(hào)： IR2128
廠商： International Rectifier
英文描述： CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER
中文描述： 電流傳感單通道驅(qū)動(dòng)
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 232K
代理商： IR2128
IR2128
C
ONTROL
I
NTEGRATED
C
IRCUIT
D
ESIGNERS
M
ANUAL
B-131
Parameter
Definition
Value
Typ. Max. Units
Symbol
Min.
Test Conditions
V
IH
V
IL
Logic “0” Input Voltage (OUT = LO)
2.7
—
—
V
CC
= 10V to 20V
V
CC
= 10V to 20V
V
CC
= 10V to 20V
I
O
= 0A
Logic “1” Input Voltage (OUT = HI)
—
—
0.8
V
CSTH+
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN+
I
IN-
I
CS+
I
CS-
V
BSUV+
CS Input Positive Going Threshold
180
250
320
High Level Output Voltage, V
BIAS
- V
O
Low Level Output Voltage, V
O
—
—
100
mV
—
—
100
I
O
= 0A
Offset Supply Leakage Current
—
—
50
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V or 5V
V
IN
= 0V or 5V
V
IN
= 0V
V
IN
= 5V
V
CS
= 3V
V
CS
= 0V
Quiescent V
BS
Supply Current
Quiescent V
CC
Supply Current
Logic “1” Input Bias Current
—
150
300
—
60
120
—
7.0
15
μA
Logic “0” Input Bias Current
—
—
1.0
“High” CS Bias Current
—
—
1.0
“High” CS Bias Current
—
—
1.0
V
BS
Supply Undervoltage Positive Going
Threshold
V
BS
Supply Undervoltage Negative Going
Threshold
Output High Short Circuit Pulsed Current
8.8
10.3
11.8
V
BSUV-
7.5
9.0
10.6
I
O+
200
250
—
V
O
= 0V, V
IN
= 0V
PW
≤
10 μs
V
O
= 15V V
IN
= 5V
PW
≤
10 μs
I
O-
Output Low Short Circuit Pulsed Current
420
500
—
Parameter
Definition
Value
Typ. Max. Units
150
200
Symbol
t
on
t
off
t
r
t
f
t
bl
t
cs
t
flt
Min.
—
Test Conditions
V
S
= 0V
V
S
= 600V
C
L
= 1000 pF
C
L
= 1000 pF
Turn-On Propagation Delay
Turn-Off Propagation Delay
—
100
150
Turn-On Rise Time
—
80
120
Turn-Off Fall Time
—
40
60
ns
Start-Up Blanking Time
500
750
900
CS Shutdown Propagation Delay
—
240
360
CS to
FAULT
Pull-Up Propagation Delay
—
340
510
Dynamic Electrical Characteristics
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, C
L
= 1000 pF and T
A
= 25°C unless otherwise specified. The dynamic electrical characteristics
are measured using the test circuit shown in Figure 3.
Static Electrical Characteristics
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V and T
A
= 25°C unless otherwise specified. The V
IN
, V
TH
and I
IN
parameters are referenced to
COM. The V
O
and I
O
parameters are referenced to V
S
.
mA
V
V
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PDF描述
IR2130S 3-PHASE BRIDGE DRIVER
IR2130 3-PHASE BRIDGE DRIVER
IR2130J 3-PHASE BRIDGE DRIVER
IR2130JPbF 3-PHASE BRIDGE DRIVER
IR2130PbF 3-PHASE BRIDGE DRIVER
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參數(shù)描述
IR2128PBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IR2128S 功能描述:IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
IR2128SPBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IR2128STR 功能描述:IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
IR2128STRPBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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