參數(shù)資料
型號： IRF1010Z
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 302K
代理商： IRF1010Z
www.irf.com
7
Fig 15.
Typical Avalanche Current Vs.Pulsewidth
Fig 16.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Temperature
Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 15, 16:
(For further info, see AN-1005 at www.irf.com)
1. Avalanche failures assumption:
Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a
temperature far in excess of T
jmax
. This is validated for
every part type.
2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asT
jmax
is
not exceeded.
3. Equation below based on circuit and waveforms shown in
Figures 12a, 12b.
4. P
D (ave)
= Average power dissipation per single
avalanche pulse.
5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for
voltage increase during avalanche).
6. I
av
= Allowable avalanche current.
7.
T
=
Allowable rise in junction temperature, not to exceed
T
jmax
(assumed as 25°C in Figure 15, 16).
t
av =
Average time in avalanche.
D = Duty cycle in avalanche = t
av
·f
Z
thJC
(D, t
av
) = Transient thermal resistance, see figure 11)
P
D (ave)
= 1/2 ( 1.3·BV·I
av
) = T/ Z
thJC
I
av
=
2 T/ [1.3·BV·Z
th
]
E
AS (AR)
= P
D (ave)
·t
av
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
EA
TOP Single Pulse
BOTTOM 10% Duty Cycle
ID = 75A
1.0E-08
1.0E-07
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
tav (sec)
0.1
1
10
100
1000
A
0.05
0.10
Duty Cycle = Single Pulse
Allowed avalanche Current vs
avalanche
pulsewidth,
assuming
Tj = 25°C due to
avalanche losses. Note: In no
case should Tj be allowed to
exceed Tjmax
tav
0.01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1010ZL AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010ZS RESISTOR 1.5 OHM 20W TO220
IRF1104L HEXFET Power MOSFET
IRF1104S HEXFET Power MOSFET
IRF1104 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.009ohm, Id=100A)
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參數(shù)描述
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