參數(shù)資料
型號(hào)： IRF1010ZS
廠商： International Rectifier
英文描述： RESISTOR 1.5 OHM 20W TO220
中文描述： 汽車(chē)MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 302K
代理商： IRF1010ZS
8
www.irf.com
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
!"
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" ()"
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Recovery
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!*+!%%"!,-
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V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
% "3!4
0
≤ 1
5
≤ 0.1 %
+
-
Fig 18a.
Switching Time Test Circuit
Fig 18b.
Switching Time Waveforms
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PDF描述
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IRF1104LPBF HEXFET Power MOSFET
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IRF1010ZSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1010ZSTRRPBF 功能描述:MOSFET 55V SINGLE N-CH HEXFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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