參數(shù)資料
型號(hào)： IRF1104S
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 208K
代理商： IRF1104S
IRF1104S/L
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 175 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.1
1
10
100
1000
4.0
5.0
V , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
I
D
T = 175 C
°
T = 25 C
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
100A
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PDF描述
IRF1104 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.009ohm, Id=100A)
IRF1104LPBF HEXFET Power MOSFET
IRF1104SPBF HEXFET Power MOSFET
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