參數(shù)資料
型號： IRF1104SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： IRF1104SPBF
IRF1104
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRF130 TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A)
IRF130 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF130 14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF130-133 N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
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參數(shù)描述
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