型號: | IRF130 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A) |
中文描述: | 三極管N -通道(減振鋼板基本\u003d 100V的,的Rds(on)\u003d 0.18ohm,身份證\u003d 14A條) |
文件頁數(shù): | 7/7頁 |
文件大?。?/td> | 147K |
代理商: | IRF130 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF130 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
IRF130 | 14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
IRF130-133 | N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
IRF130 | N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
IRF130SMD | N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF130-133 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
IRF1302 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Transistor Polarity:N Channel, Power Dissipation Pd:230W, Current Rating |
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IRF1302S | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |