型號(hào): | IRF130 |
廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
英文描述: | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
中文描述: | N溝道功率MOSFET |
文件頁(yè)數(shù): | 4/7頁(yè) |
文件大?。?/td> | 147K |
代理商: | IRF130 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF130 | 14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
IRF130-133 | N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
IRF130 | N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
IRF130SMD | N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
IRF130 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF130-133 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
IRF1302 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Transistor Polarity:N Channel, Power Dissipation Pd:230W, Current Rating |
IRF1302L | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A) |
IRF1302PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 20V 180A TO-220 |
IRF1302S | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |