參數(shù)資料
型號： IRF3007S
英文描述： 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
中文描述： 75V的單個N -溝道HEXFET功率MOSFET的一項D2 - PAK封裝
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大小： 643K
代理商： IRF3007S
www.irf.com
3
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
Vs. Drain Current
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
A
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
0
40
80
120
160
ID, Drain-to-Source Current (A)
0
20
40
60
80
100
G
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3205STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB
IRF3205STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB
IRF3315L 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
IRF3315SL
IRF3315S Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3007SPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3007STRLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:75V D2PAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 75V 62A TO220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 75V D2PAK
IRF3103 制造商:INTERFET 制造商全稱:INTERFET 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF31N20DPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:
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