參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3305PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： IRF3305PBF
www.irf.com
1
AUTOMOTIVE MOSFET
PD - 95758
HEXFET
Power MOSFET
V
DSS
= 55V
R
DS(on)
= 8.0m
I
D
= 75A
S
D
G
Description
O
O
O
!
O
"#
$#
!$
O
O
Features
TO-220AB
IRF3305PbF
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
(Package Limited)
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C Power Dissipation
Linear Derating Factor
V
GS
Gate-to-Source Voltage
E
AS (Thermally limited)
Single Pulse Avalanche Energy
E
AS
(Tested )
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value
I
AR
Avalanche Current
E
AR
Repetitive Avalanche Energy
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
Thermal Resistance
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
(Silicon Limited)
A
Pulsed Drain Current
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
°C
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
0.45
–––
62
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°C/W
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf in (1.1N m)
330
2.2
± 20
470
Max.
140
99
75
560
860
See Fig.12a, 12b, 15, 16
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PDF描述
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