參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3415
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏，的Rds（on）\u003d 0.042ohm，身份證\u003d 43A章）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
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代理商： IRF3415
IRF3415
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 22A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 22A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
260
2.2
1.3
390
3.3
V
ns
μC
Source-Drain Ratings and Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
150
–––
–––
0.17
–––
––– 0.042
2.0
–––
19
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
–––
55
–––
71
–––
69
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 22A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 50V, I
D
= 22A
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 22A
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 75V
I
D
= 22A
R
G
= 2.5
R
D
= 3.3
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
25
250
100
-100
200
17
98
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
2400
640
340
–––
–––
–––
pF
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
22A, di/dt
≤
820A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25°C, L = 2.4mH
R
G
= 25
, I
AS
= 22A. (See Figure 12)
43
150
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3704STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 77A I(D) | TO-263AB
IRF3704 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
IRF3704L Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
IRF3704S CONNECTOR, PICOFLEX, 4WAY; Connector type:Wire-to-Board; Ways, No. of:4; Termination method:Crimp; Rows, No. of:2; Pitch:1.27mm; Series:91935 RoHS Compliant: Yes
IRF3704STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 77A I(D) | TO-263AB
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參數(shù)描述
IRF3415HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 43A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRF3415L 功能描述:MOSFET N-CH 150V 43A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3415LPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 43A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
IRF3415PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3415S 功能描述:MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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