參數(shù)資料
型號： IRF3704S
廠商： International Rectifier
英文描述： CONNECTOR, PICOFLEX, 4WAY; Connector type:Wire-to-Board; Ways, No. of:4; Termination method:Crimp; Rows, No. of:2; Pitch:1.27mm; Series:91935 RoHS Compliant: Yes
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 9.0mohm，身份證\u003d 77A條）
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 125K
代理商： IRF3704S
IRF3704/3704S/3704L
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
28.4A
V
= 10V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.1
1.4
1.7
2.0
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175 C
= 25°
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3704STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 77A I(D) | TO-263AB
IRF3704Z HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZL HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZS HEXFET Power MOSFET
IRF3707LPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3704SPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3704STRL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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