參數(shù)資料
型號： IRF3808SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 308K
代理商： IRF3808SPBF
IRF3808S/LPbF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
82A
V
= 15V
DS
V
= 37V
DS
V
= 60V
DS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF510PBF HEXFET POWER MOSFET
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IRF520NS Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
IRF520VL Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
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參數(shù)描述
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