參數(shù)資料
型號： IRF510S
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.54ohm，身份證\u003d 5.6A）
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 178K
代理商： IRF510S
相關PDF資料
PDF描述
IRF520L Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
IRF520NS Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
IRF520VL Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
IRF520VS Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
IRF520 N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF510SPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF510STRL 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF510STRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF510STRR 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF510STRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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