參數(shù)資料
型號： IRF5305STRL
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| P通道| 55V的五（巴西）直|第31A條（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 4/10頁
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代理商： IRF5305STRL
IRF5305S/L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
500
1000
1500
2000
2500
1
10
100
C
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
Q , Total Gate Charge (nC)
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V = -44V
V = -28V
I = -16A
G
-
10
100
1000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T = 25°C
V = 0V
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
-
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF5305STRR TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
IRF530ND TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | CHIP
IRF530N N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS 晶體管)
IRF540CHIP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | CHIP
IRF541FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF5305STRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF5305STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF5305STRLPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 55 V 110 W 63 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
IRF5305STRR 功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF5305STRRPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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