參數(shù)資料
型號(hào)： IRF530N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 90mohm，身份證\u003d 17A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 212K
代理商： IRF530N
IRF530N
2
www.irf.com
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 9.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 9.0A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
93
320
1.3
140
480
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
17
60
A
Starting T
J
= 25°C, L = 2.3mH
R
G
= 25
, I
AS
= 9.0A, V
GS
=10V (See Figure 12)
I
SD
≤
9.0A, di/dt
≤
410A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. (See fig. 11)
Notes:
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
This is a typical value at device destruction and represents
operation outside rated limits.
This is a calculated value limited to T
J
= 175°C .
Parameter
Min. Typ. Max. Units
100
–––
–––
0.11
–––
–––
2.0
–––
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.2
–––
22
–––
35
–––
25
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 9.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 50V, I
D
= 9.0A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 9.0A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 50V
I
D
= 9.0A
R
G
= 12
V
GS
= 10V, See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
I
AS
= 9.0A, L = 2.3mH
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
90
4.0
–––
25
250
100
-100
37
7.2
11
–––
–––
–––
–––
V
V/°C
m
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
E
AS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Single Pulse Avalanche Energy
–––
–––
–––
–––
920
130
19
340
93
–––
–––
–––
pF
mJ
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF530N 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF530S Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A)
IRF540PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF540SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF5NJ3315 POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=150V, Rds(on)=0.08ohm, Id=20A)
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參數(shù)描述
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IRF530N_R4942 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF530ND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | CHIP
IRF530NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 17A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRF530NL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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