參數(shù)資料
型號(hào)： IRF530N
廠商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel Power MOSFET
中文描述： 22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 212K
代理商： IRF530N
IRF530N
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
400
800
1200
1600
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
C
V
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
SEE FIGURE
FOR TEST CIRCUIT
13
9.0A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF530ND 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | CHIP
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