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參數(shù)資料
| 型號： | IRF530PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Dynamic dv/dt Rating, Fast Switching, Ease of Paralleling, Simple Drive Requirements |
| 中文描述： | 動態(tài)dv / dt的評級，快速切換，對并聯(lián)，輕松簡單驅(qū)動需求 |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 178K |
| 代理商： | IRF530PBF |
IRF530NS/L
www.irf.com
9
Package Outline
TO-262 Outline
TO-262
Part Marking Information
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF530 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A) |
| IRF530NS | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A) |
| IRF530 | N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
| IRF530 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |
| IRF530NLPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF530R | 制造商:IR 功能描述:IRF530 |
| IRF530S | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF530SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF530STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF530STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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