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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF6100PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 628K |
| 代理商： | IRF6100PBF |
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www.irf.com
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Consumer market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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05/06
FlipFET
(Refer to application note AN-1011 for details about board mounting the 0.8mm ball pitch Flip FET)
Outline Dimension and Tape and Reel
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF610PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF620PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF620SPBF | HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80ヘ , ID=5.2A ) |
| IRF6215LPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A ) |
| IRF6215SPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A ) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF610-613 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V |
| IRF610A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRF610B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF610B_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF610L | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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