參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6218PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 142K
代理商： IRF6218PBF
IRF6218PbF
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
-VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
-S
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
-D
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
0
10
20
30
40
50
60
70
80
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
-G
VDS= 120V
VDS= 75V
VDS= 30V
ID= -16A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6218 SMPS MOSFET
IRF630NSTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB
IRF630N Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)
IRF630NL Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)
IRF630NS Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)
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參數(shù)描述
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IRF6218S 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF6218SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 150V 27A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRF6218SPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6218STRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 150V 27A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
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