- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377505 > IRF634 (意法半導體) N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF634 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
| 中文描述： | N溝道250V - 0.38ohm - 8A條TO-220/TO-220FP⑩MOSFET的網(wǎng)格密胺 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | IRF634 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF634FP | N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
| IRF634A | Advanced Power MOSFET |
| IRF640L | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A) |
| IRF640N | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A) |
| IRF640NL | RES 5.62-OHM 1% 0.125W 100PPM THICK-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF634A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRF634B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRF634B_FP001 | 功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF634FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
| IRF634L | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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