參數(shù)資料
型號： IRF634NSPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大小： 233K
代理商： IRF634NSPBF
IRF634N/S/LPbF
2
www.irf.com
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 4.8A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 4.8A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
130
650
1.3
200
980
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
8.0
32
Parameter
Min. Typ. Max. Units
250
–––
–––
0.33
–––
––– 0.435
2.0
–––
5.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
8.4
–––
16
–––
28
–––
15
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 4.8A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 50V, I
D
= 4.8A
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 4.8A
V
DS
= 200V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 125V
I
D
= 4.8A
R
G
= 1.3
V
GS
= 10V, See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
25
250
100
-100
34
6.5
16
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
620
84
23
–––
–––
–––
pF
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
1.7
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB mount)
°C/W
相關PDF資料
PDF描述
IRF644S Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)
IRF6601 DirectFET⑩ Power MOSFET(Vdss=20V)
IRF6602 HEXFET Power MOSFET
IRF6602TR1 HEXFET Power MOSFET
IRF6603 HEXFETPower MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF634NSTRL 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB
IRF634NSTRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF634NSTRR 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB
IRF634NSTRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF634PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*